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        鈣鈦礦電池激光刻蝕、劃線設備

        鈣鈦礦電池激光刻蝕、劃線系統

        導電銀漿、ITO、FTO、氧化鋅、氧化鋯、氧化鈦、氧化鎳、碳粉、金、銀、銅、鋁等導電金屬、石墨烯、碳納米管、氧化物、鈣鈦礦電池Spiro-OMeTAD、Perovskite、SnO2、C60、PCBM等鈣鈦礦電池材料激光刻蝕劃線處理

        客戶服務熱線

        135-4505-0045

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        傳 真:027-63496399

        產品介紹 樣品展示 加工視頻 免費打樣

        可根據需求將整個加工部分置入手套箱內加工


        根據不同場景的需求,配置納秒脈寬的紅外光纖(1064nm)、綠光(532nm)波段光源;皮秒脈寬的紅外光纖(1064nm)、綠光(532nm)、紫外(355nm)波段光源;飛秒脈寬的紅外光纖(1030nm)、綠光(515nm)波段光源進行微精細激光刻蝕、劃線、構造去除、劃片、表面剝離等應用。

         

        適用于柔性PET/PI/PEN/玻璃等基底材料上的鈣鈦礦太陽能電池激光刻蝕劃線應用。

         

        玻璃、PET、PI、PNT等基底上薄膜材料激光刻蝕,應用于觸摸屏、光伏太陽能電池、電至色玻璃等行業。

         

        適用于導電銀漿、ITO、FTO、氧化鋅、氧化鋯、氧化鈦、氧化鎳、碳粉、金、銀、銅、鋁等導電金屬、石墨烯、碳納米管、氧化物、鈣鈦礦電池Spiro-OMeTAD、Perovskite、SnO2、C60、PCBM等材料處理。特別是針對鈣鈦礦電池領域的陰電極、鈣鈦礦空穴傳輸層、阻擋層、鈣鈦礦層、陽電極激光刻蝕劃線技術上有獨到的技術優勢。

         

        采用自主研發的控制軟件、直接導入CAD 數據CCD相機定位自動激光刻蝕,操作簡單,方便快捷;采用通過軟件實時調節振鏡與直線電機、電動升降工作臺的設計,加上真空吸附托盤裝置,能有效地解決激光刻蝕加工運行中的平穩性。


        設備集數控技術、激光技術、軟件技術等光機電高技術于一體,具有高靈活性、高精度、高速度等先進制造技術的特征??纱蠓秶鷥冗M行各種圖案,各種尺寸的精密、高速刻蝕,并且能夠保證很高的產能,是一個可靠、穩定和具有高性能價格比的產品。

         

        主要構成:激光器、光路系統、運動控制系統、電控制系統、定位系統、抽塵系統、真吸附空系統、大理石龍門結構、鈑金結構件等。


         

        型號

        納秒綠光ET200MG

        皮秒綠光

        ET300MGPS

        皮秒紫外

        ET300UV-PS

        飛秒紅外

        ET300IR-FS

        飛秒綠光

        ET300MG-FS

        實驗室刻蝕機

        ET100IR/ET100MG

        激光器

        532nm

        532nm

        355nm

        1030nm

        515nm

        1064/532nm

        功率

        5/10W

        10/15/30W

        10/15/30W

        20/30/40W

        10W

        20W/5W

        加工尺寸

        100*100/200*200/300*300/400*300/600*600/600*900/700*1400mm可選

        可定制加工幅面

        110*110mm可選

        激光器頻率

        30-150KHz

        1-1000KHz

        1-1000KHz

        25-5000KHz

        25-5000KHz

        1-2000KHz/

        30-100khz

        振鏡

        10/14mm通光孔徑

        10mm通光孔徑

        聚焦鏡

        40*40/70*70/110*110mm幅面(根據不同的應用場景選擇)

        100-140mm可選

        擴束鏡

        4X

        2-8X可調

        1.5X

        聚焦光斑

        30μm

        10μm

        50μm

        最小線寬

        30μm

        10μm

        50μm

        最大可根據需要可全部去除鍍層材料,如P4清邊處理  

        最小線間距

        30μm

        10μm

        50μm

        熱影響區

        5μm

        3μm


        直線度

        ±10μm

        ±5μm(最小可至±1μm

        ±20μm

        Z軸電機行程

        50mm(自動軟件控制)

        手動500mm

        工作臺定位精度

        ±3μm

        ±20μm

        工作臺重復精度

        ±1μm

        ±20μm

        CCD相機定位精度

        ±3μm

        ±10μm

        刻蝕速度

        最大刻蝕速度4000mm/s(單線)

        設備尺寸/重量

        1200*1200*1700mm300*00mm幅面內) 1000Kg 納秒                大尺寸及雙光路

        1280*1400*1750mm300*300mm幅面內) 1800Kg  皮秒/飛秒          電話聯系

        1800*1800*1750mm600*600mm幅面內) 2500kg皮秒/飛秒 

        1050*700*1660mmL*W*H 300Kg

        設備功耗

        2500W

        3000W

        1500W

        設備文件格式

        標準CAD DXF文件

        DXF/PLT/JPG

        備注:量產后一般采用多種波段激光配合使用,非單臺機器完成所有膜層制作。


        溫馨提示:我公司提供“樣品免費加工”服務,您只需提交以下信息,我們會有專人與您聯系。您也可以直接來電垂詢。服務熱線:135-4505-0045。

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